天域半导体碳化硅基地废气治理
碳化硅外延片在生产过程中外延检修、清洗、供应间废气,废气成分主要为非甲烷总烃、多种酸雾、氨气等,采用预处理+两级活性炭深度吸附和酸碱塔吸收治理工艺。
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方案概述
泛半导体产业链具体包括上游半导体原材料与设备供应、中游半导体产品制造和下游应用,主要的产品包括:照明、显示、光伏、芯片等。泛半导体行业废气产污工序主要有电子化学品生产、CVD、外延检修、刻蚀、显影、清洗等,废气的主要成分为酮类、醇类、烃类等VOCs;氟化物、氯化氢、硫酸雾、氨等酸碱;SiH4、PH3、B2H6、AsH3、PFCs等特气;以及氢气、氩气、氮气等。废气呈“高毒有害、浓度多变、高处理要求、成分复杂”的特征,泛半导体废气的处理本质上是将极高危的工艺废气,通过高度精密、可靠且协同的系统,安全转化为稳定无害物质的复杂工程,是泛半导体制造业环境安全的核心环节。
其废气治理难点在于因气体种类极多,包括硅烷、磷化氢、砷化氢等自燃、剧毒、腐蚀性的特气,以及氟化物、氯化物等强腐蚀性酸废气,和多种挥发性有机物,处理难度大;因涉及大量危险气体,治理系统的密封性、防爆性、可靠性要求远高于普通工业废气处理,安全是首要考量;并且需焚烧、洗涤、吸附、回收等多种高效技术工艺精密协同,设计容错率低。
干式吸附设备(Dry Scrubber)
在泛半导体生产的IMP(离子注入)、Etch(刻蚀)、MOCVD(金属有机化学气相沉积)、CVD(化学气相沉积)等关键工序中,会产生大量具有毒性、腐蚀性且浓度波动大的工艺废气,如Cl₂、HCl、HF、PH₃、SiF₄、NH₃、AsH₃等。针对此类废气,可采用我司自研的干式吸附设备(Dry Scrubber),内装自研生产的高效吸附剂,吸附剂的种类根据废气的成分进行定制化设计,该设备对废气的净化效率可高达99.9%。干式吸附设备(Dry Scrubber)通过专研的吸附剂净化废气中的有害成分,生成稳定的固态化合物并被牢牢固定在吸附剂内部,处理后的尾气经过汇总进入中央处理系统,中央处理系统常采用多级酸碱塔、吸附工艺。
干式吸附设备(Dry Scrubber)安全性高,全干式、无废水、无明火工艺,从根本上杜绝了危险气体与水接触或燃烧的风险;程序安全性高,采用自动化控制,进行温度、出入口压力、浓度监测,联动扩撒、降温、报警、停机等多重安全联锁,确保全程受控;定制化高效净化,针对不同特气定制化设计吸附剂,净化效率可高达99.9%;节能低碳运行,设备运行不消耗水,且电耗极低,符合绿色低碳的运营目标;耐腐蚀,采用强化防腐设计,具有优良的耐腐蚀性能;智控孪生赋能,融合数字孪生与集中智制优势,通过感知矩阵、多维交互、场景化智控等技术,实现设备全生命周期深度赋能;全生命周期成本最优,采用我司研制的吸附剂,高效、使用寿命长,在保证性能的同时显著降低耗材更换频率与综合成本。

水洗设备(Wet Scrubber)
在半导体与光伏电池生产的扩散(Diffusion)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子增强型化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、刻蚀(Etch)、外延(EPI)等关键工序中,会产生Cl₂、HCl、HF、NH₃等多种强腐蚀性酸碱废气,必须进行高效处理。
针对此类废气,可采用我司自主研发的水洗设备(Wet Scrubber),该设备通过专业设计使废气与水充分接触,采用多级(六级及以上)水洗室进行综合吸收,净化效率可达99%以上。该设备在泛半导体行业中,常用于单独处理酸碱废气,或作为后端处理单元,高效去除燃烧式设备处理废气后产生的SiO₂、HF等二次污染物,处理后的尾气经过汇总进入中央处理系统,中央处理系统常采用多级酸碱塔、吸附工艺。
水洗设备(Wet Scrubber)的净化效率可高达99%,采用六级喷淋水洗室+一级综合除雾室,设备配置西门子PLC人机界面,自动/手动两种运行模式,且设备运行电耗低、废水量少,符合绿色低碳的运营目标,材质采用强化防腐设计,具有优良的耐腐蚀性能,并且融合数字孪生与集中智制优势,通过感知矩阵、多维交互、场景化智控等技术,实现设备全生命周期深度赋能。

电热水洗设备(Heat Wet Scrubber)
在半导体与光伏生产的扩散(Diffusion)、化学气相沉积(PECVD/MOCVD)、刻蚀(Etch)、外延(EPI)等关键工序中,会产生H2、SIH4、HCL、TEOS、CO、CH4、C2H6、SiCl₄等多种易燃易爆废气,必须进行高效、稳定的处理。针对此类废气,我司研发电热水洗设备(Heat Wet Scrubber)进行废气处理,电热水洗设备是传统湿式洗涤技术的一种高级演进,专为处理常温下难溶、易结晶或需要特定温度条件才能高效反应的半导体特气而设计。该设备核心原理是先通过电加热高温裂解燃烧废气,然后再通过高效水洗的方式对燃烧产生的尾气进行深度处理,使其达到国家排放标准。电热水洗设备常用于去除1000℃温度内可分解特气成分,对废气的净化效率可高达99.9%。处理后的尾气经过汇总进入中央处理系统,中央处理系统常采用多级酸碱塔、吸附工艺。
电热水洗设备(Heat Wet Scrubber)采用自动化控制,进行温度、压力、流量、液位等监测,联动扩撒、调温、降温、报警、停机等多重安全联锁,确保全程受控;针对不同特气定制化设计,净化效率可高达99.9%;设备增加旋流缓冲,过渡温降,防止粉尘堆积;材质采用强化防腐设计,具有优良的耐腐蚀性能;并且融合数字孪生与集中智制优势,通过感知矩阵、多维交互、场景化智控等技术,实现设备全生命周期深度赋能。

电热水冷设备(HC Scrubber)
在芯片、光伏、LED等生产过程中,氢气的使用量逐渐增加,涉及到的制程主要有GaN、MOCVD(金属有机化学气相沉积)等,产生的高浓度氢气和氨气,存在安全风险和臭气超标风险。针对此类废气,可采用我司自研的电热水冷设备(HC Scrubber),本设备专门针对氢气、氨气处理设计,核心原理是先通过电加热高温裂解氨气,然后再进入燃烧区域进行高温燃烧,产生的高温尾气经过多级冷凝后达标排放,对废气的净化效率可高达99.9%。处理后的尾气经过汇总进入中央处理系统,中央处理系统常采用多级酸碱塔、吸附工艺。
电热水冷设备(HC Scrubber)采用自动化控制,进行温度、压力、流量等监测,联动扩撒、调温、降温、报警、停机等多重安全联锁,确保全程受控;针对氢气和氨气定制化设计,净化效率可高达99.9%;设备无水洗单元,仅使用循环冷却水,不产生废水;材质采用强化防腐设计,具有优良的耐腐蚀性能;并且融合数字孪生与集中智制优势,通过感知矩阵、多维交互、场景化智控等技术,实现设备全生命周期深度赋能。

等离子水洗设备(Plasma Wet Scrubber)
在半导体与显示面板制造的扩散、刻蚀、化学气相沉积等核心工序中,会产生CF₄、NF₃等全氟化合物(PFCs),这类气体化学结构异常稳定,传统方法难以高效降解,是行业面临的严峻环保挑战。针对此类废气,我司研发了等离子水洗设备(Plasma Wet Scrubber),该设备采用“先彻底分解,后高效吸收”的两段式工艺,专门攻克PFCs处理难关。在反应器中,通过介质阻挡放电(DBD)或电弧放电等方式产生低温等离子体,等离子体中富含的高能电子 足以直接轰击并断裂PFCs等气体的强化学键(如C-F键)。同时,气体分子被电离、激发,生成大量自由基,协同氧化反应进一步降解污染物,分解后生成的酸性气态产物及粉尘,立即进入配套的湿式洗涤塔深度净化,最终实现达标排放。等离子水洗设备的反应温度可高达1500-3000℃,废气净化效率可99.9%以上,适用于电热水洗处理的废气也可采用等离子水洗设备来处理,处理后的尾气经过汇总进入中央处理系统,中央处理系统常采用多级酸碱塔、吸附工艺。
等离子水洗设备(Plasma Wet Scrubber)采用自动化控制,进行温度、压力、流量、液位等监测,联动扩撒、调温、降温、报警、停机等多重安全联锁,确保全程受控;高能电子轰击结合自由基氧化,彻底破坏分子结构,净化效率可高达99.9%以上;可处理电热水洗设备无法有效处理的极高稳定性气体(如PFCs);材质采用强化防腐设计,具有优良的耐腐蚀性能;并且融合数字孪生与集中智制优势,通过感知矩阵、多维交互、场景化智控等技术,实现设备全生命周期深度赋能。

硅烷燃烧水洗塔
在太阳能电池、集成电路等高端制造中,PECVD(等离子增强化学气相沉积)等关键工序会产生硅烷(SiH₄)和氨气(NH₃) 等废气,其中,硅烷在空气中会自燃甚至爆炸,氨气则具有强刺激性和毒性,存在严重的安全与污染风险,必须采用高效、定制的方案进行彻底处理。
针对此类废气,我司研发了新型的硅烷燃烧水洗塔,设备主要包括:燃烧系统、吸收系统、清灰系统等部分,核心原理是高效燃烧+多级吸收,该设备对废气的净化效率可高达99.99%。
第一阶段:高效燃烧分解
将含有硅烷等可燃成分的废气导入燃烧室,硅烷接触氧气发生自然反应,生成稳定的固态二氧化硅粉末。同时,废气中可能共存的氢气、磷烷等也一并被氧化。
第二阶段:多级洗涤吸收
燃烧后的高温气体(含SiO₂粉尘、氨气等)立即进入多级水洗洗涤塔。废气与循环液充分逆流接触,实现冷却、除尘、中和、吸收四重深度净化。
硅烷燃烧水洗塔采用自动化控制,进行温度、压力监控,采用氮气保护和泄爆装置,确保设备安全稳定运行;根据废气特性定制设备功能,采用高效燃烧+多级吸收的协同设计,净化效率可高达99.99%;流程化布局燃烧室、均压室、氮气保护室及多级洗涤室,结构紧凑,气流通畅,实现处理效率最大化;利用硅烷自燃热值,不需要外加燃料,且电耗极低,符合绿色低碳的运营目标;并且融合数字孪生与集中智制优势,通过感知矩阵、多维交互、场景化智控等技术,实现设备全生命周期深度赋能。
